Abstract
本研究的主要目的在於建立一套計算系統，以對硫酸錳球浴中子射源強度校正系統有關的修正因數及共振捕獲參數進行計算。這些修正因數包括中子洩漏 (L)， 快中子被氧和硫吸收 (O)，及射源自吸收 (S) 等三項。共振捕獲參數包括共振自屏蔽因數 (G)、有效能譜指標 (r) 及共振積分參數 (s)。建立之計算系統包括 VITAMIN-C 截面庫、 AMPX-77 截面處理程式、一維中子遷移程式 ANISN 及 NJOY 截面產生程式。以日本 ETL 的硫酸錳球浴 Cf-252 射源為模擬對象。第一部份修正因數之計算結果顯示 L 值與日本研究報告結果很接近，S 值略為偏高，O 值則比文獻值高出一半。所用截面值的差異有可能是造成誤差的主要原因。 快中子吸收項主要來自 O-16(n,alpha)C-13 反應，而射源自吸收主要來自中空球體之鋁殼。經三項因數修正後對中子射源強度之整體誤差僅 < 0.2%。 改變空間分格、角分格、射源承座模擬方式對計算結果並無影響。 另外，改為 Pu-Be(a, n) 射源時, 由於射源能譜往高能區偏，L 值及 O 值均較Cf-252 射源高了四倍以上。 往後進行此類射源強度較正時，需先掌握正確的射源能譜，才能求得準確的修正因數。第二部份共振捕獲參數之計算， 採直接求 Grs 乘積及求個別因子兩種計算方法。 其中個別因子有效能譜指標 r 之計算法僅適用於能譜為 1/E 之能量範圍。 當共振區能譜為 1/E 時，兩種計算之結果一致。本研究求得之 Grs 乘積為日本ETL 之 1.18 倍 ~1.45 倍， 而相當接近韓國之計算結果。共振捕獲修正量 (1+Grs) 對整體之影響與日本相差 < 0.4%，與韓國相差 < 0.1%。