Abstract
本論文係利用橫截面電子顯微鏡以觀察硼離子佈植矽中固相磊晶之成長行為。研究內容包括Si ＋B 植入（００１）矽（１１１）矽及Si 植入（１１１）矽在４７０?６００℃溫度範圍內不同時間之氮爐退火的固相磊晶成長過程觀察及在高溫６００?１１００℃退火後殘留晶體缺陷的分析。在Si ＋B 植入（１１１）矽晶片中５１０℃，５３０℃及５５０℃退火之固相 磊晶成長速率分別為２．６A°╱min，７．５A°╱min及１８．０A° ，其固相磊晶成長活化能為２．７１eV。在Si ＋B 植入（００１）矽及Si 植入（１１１）矽中，其成長速率隨成時間之增加而降低。前者在４７０℃，４９０℃及５１０℃之成長速率約為５．８３A°╱min，２４A°╱min，及６４．２A°╱min，，後者在５６０℃之成長速率約為５６０℃，５８０℃及６００℃之成長速率約為１．３A°╱min，，５．０A°╱min，及１５．２A°╱min，，其活化能前者為２．６５ev後者為２．８９eV。退火後殘留晶體缺陷分析係結合橫截面及正面電子顯微鏡之觀察來研究缺陷的特性，密度及分析情形。在Si ＋B 植入（００１）矽中，磊晶層完全無缺陷存在,分佈在退火前非晶質及單晶介面下方缺陷特性隨退火溫度變化而改變。在Si ＋B 植入（１１１）矽及Si 植入（１１１）矽中，磊晶層全為雙層所佔滿，分佈在退火前非晶質及單晶介面下方之缺陷帶也隨退火溫度變化而改變其特性及密度。