Abstract
本文主要是以三溫區滑觸式液相磊晶法成長雙層的Hg Cd Te磊晶層, 並經由In的摻雜, 使得長出的磊晶能成為N -P的異質接合。研究Tuck擴散模型, 從而建立In在磊晶層內的理論擴散曲線, 並將其與實驗值作一比較, 探討兩者的差異。在本文中, 以 450℃為長晶溫度, cdTe基材, 取(111)B面為長晶面, 成長N -Hg CdTe/P-Hg Cd Te的雙層磊晶。並以不同的過冷度、冷卻速度、成長時間、摻雜物量等為變數, 觀察其對磊晶成份、厚度、表面金相和電性影響。利用Tuck擴散方程式, 代以適當的參數值, 則獲得In的理論擴散曲線。將曲線和經由Van der pauw四點測量法所獲得的實驗值作一比較。我們發現兩者相當吻合, 些微的偏差來自參數取值上的誤差。