Abstract
X為0.31和0.34的P型Hg1-x Cdx Te/CdTe 磊晶層，經用能量為100Kev，流量為1.45×1015 cm-2 電流為2μA cm-2 的硼離子佈植後，再在 240℃– 550℃溫度範圍內，分別於汞和碲化汞環境下，作30分鐘退火，並用富氏紅外光譜，雜訊頻譜，電流一電壓特性，和77℃霍爾效應方法測量，從實驗結果得知，於低溫退火後的 n型導電性是因佈植時所做成破壞引起，而於高溫退火後得 n型導電性則是經由植入的硼離子活化所至，故可得結論，在一合理溫度範圍內退火，可消除植入時所做成破壞和使植入的硼離子活化，並同時可得到良好品質的碲化汞鎘，基於以上因素，使得在選擇碲化汞鎘的佈植源時，硼離子顯得非常吸引。