Abstract
在碲化鎘與銅錮化硫晶體中，使用傳統熱處理的P-型摻雜方式無法獲得高於10(18)cm的電洞濃度，此一困難可用離子佈植技術及脈衝電子束□火技術來克服，本文旨在探討脈衝電子束能有效□火以磷離子佈植做P 型摻雜的碲化鎘與銅銦化硫的原因，同時也設法瞭解一般之熱□火方式無法使電洞濃度提高之原因。透過對磷離子佈植及脈衝電子束□火過程的模擬及對晶體微觀結構變化的探討，吾人可對本文欲解決之問題獲得一答案模型。離子佈值的「微觀」模擬結果顯示佈植後晶體中存有大量之磷間位，此磷間位之存在可用電子順磁共振實驗加以證實，此實驗並顯示磷間位仍存在用一般熱□火處理的樣品中，但在經由脈衝電子束□火處理的樣品則觀察不到磷間位。針對脈衝電子束□火之條件可計算晶體中之溫度分佈，結果顯示晶體表層被電子束在數微秒中熔化後再結晶，而擴散後磷之分佈正與電洞濃度之分佈相符合。以上均顯示熔化與否為一重要因素。文中並特別針對磷間位之存在及其結構做各種微觀之分析。