Abstract
本研究以6吋GeSb9二元合金靶材配合Te純金屬靶材進行雙靶磁控共濺鍍(co-sputtering)，鍍製不同濃度GeSb9基微量添加硫屬Te之三元合金試片。並量測其薄膜濃度、微結構、光性、靜態測試、電性等，了解摻雜Te元素對鍺銻合金的影響以作為高速相變型記錄媒體材料的可行性。 三元合金之Te濃度控制在6at.%以下，由ESCA結果顯示Te元素會與Ge形成GeTe化合物；TEM結果顯示，未摻雜Te基底合金晶粒尺寸約800~1000nm。本實驗的三元合金薄膜濃度範圍內，晶粒尺寸有明顯縮小；在經過250℃、恆溫40sec的熱處理後，各個濃度形成的結晶相顯示皆為Sb相，並有Sb(003)面的優選現象，而此優選現象推測應是二次晶粒成長所造成；在光譜儀分析方面，摻雜Te元素對於光反射對比值並有明顯的改變，而光能隙則會隨摻雜量增加而增加；由四點探針結果發現薄膜的電阻率隨Te原子摻雜量的增加而增加；最後利用靜態測試配合TEM觀察後推測此材料應該具有於低功率下操作的優點且在不同Te濃度下其孕核時間變化也不大。