Abstract
摘要 近年來，拜超短脈衝雷射技術之賜，我們得以一窺超快動態的世界，藉由其在時間上的解析度，以及短脈衝的特性，打開了超快光學這個領域。目前以超短脈衝雷射為激發源產生的兆赫波輻射，逐漸地被廣泛研究與應用，而為了讓兆赫波在影像，感測等方面更加實用化，發展出輻射強度更強，更精巧的兆赫波波源是相當的重要的研究方向。1993年Zhang 等人將砷化銦置於外加磁場的環境下，以短脈衝雷射光來激發兆赫波，他們的研究發現兆赫波的強度和外加磁場的強度成二次方關係，即磁場越大兆赫波強度就越大，1998年，N. Sarukura等人在外加1.7Tesla磁場強度的環境下，以功率1.5W，重複率80MHz的超短脈衝雷射激發砷化銦來產生兆赫輻射波，這個方法生成了當時平均功率最大的兆赫輻射波，且此法所用的砷化銦不需要其他的處理，單純晶圓樣品即可使用，因此，如果要達到前述的目的，此方法是較為可行的方式。 本論文主要目的為針對砷化銦的兆赫波輻射現象做一個探討，我們發現在不同的磁場強度作用，以及不同的溫度下，砷化銦所輻射的兆赫波皆有所不同，此外，我們利用氫氟酸，過氧化氫…等液體，設法改變砷化銦的表面狀況，來探討表面的改變對其兆赫波的輻射有何影響，最後，我們探討激發光源的極化方向和兆赫波輻射之間的關係。我們將對實驗的結果做一個報告以及提出分析和討論，此外我們也將對未來的研究提出一個建議的方向。