Abstract
摘要 為了能讓兆赫波在影像，感測等方面更加的實用化，發展出輻射強度更強，使用上更簡便的兆赫波波源是一個相當重要的研究方向。目前利用超短脈衝雷射激發兆赫波的方式有很多種，而為了要產生功率更強的兆赫波波源，利用表面電場和外加磁場是較可行的方式。 本論文主要的目的在研究半導體在表面電場和外加的磁場作用下，由超短脈衝雷射激發砷化銦材料產生兆赫波輻射現象。我們改變半導體的表面狀態，針對不同的磁場強度，不同的磁場極化方向，改變不同的溫度，觀察在這些不同的情況下兆赫波輻射情形，期望能得到砷化銦最佳的輻射效率。我們也試著使用不同的材料，改變不同的溫度，比較溫度對它們輻射效率的影響與砷化銦的差異，而由於產生兆赫波的物理機制細微的討論起來相當複雜，因此我們只能給一個簡單的假設，並不能完整的解釋我們觀察到的現象。 另外在實驗中，我們發現以短脈衝雷射照射砷化銦的表面，可以產生頻率超過2THz以上的兆赫波，這與國外學術團體研究成果相符合，但是我們在1THz~2THz附近的頻段卻無法得到良好的訊號，這可能是被我們偵測系統中所使用的碲化鋅電光晶體吸收所造成，未來我們可以試著使用厚度較薄的碲化鋅做為偵測器，來驗證1THz~2THz附近的頻段是否真的是被碲化鋅所吸收，抑或頻率超過2THz以上的兆赫波，是否是其他的機制所產生的。