Abstract
本論文探討的磁性薄膜元件分成兩部分探討，第一部份係利用濺鍍系統製作巨磁阻多層膜自旋閥元件，第二部份則係使用電子束微影和蒸鍍系統製作圓形磁性薄膜，透過本實驗室自行架設的四點量測系統量測元件磁阻，在真空環境下改變樣品溫度，探討溫度對於不同樣品磁化過程中的影響。理論上，自旋閥元件隨著溫度的升高會使得反鐵磁層和鐵磁層之間的自旋閥束縛力減弱，而使其膜層翻轉更容易。實驗結果發現當溫度高過某一特定溫度時則自旋閥的束縛力失效，僅剩餘鐵磁層翻轉的現象；吾人亦探討改變不同膜層厚度、材料與膜層堆疊的方式，比較溫度對磁化翻轉影響的差異。第二部份在磁渦旋元件則會因溫度影響相同外加磁場狀態下的磁化渦旋態的產生與消失，並觀察磁阻現象隨溫度之變化。