Abstract
本實驗是使用磁控濺鍍法在鍍有LNO下電極的基板上成長Ba(Zr0.12To0.88)O3薄膜，LNO可幫助BZT結晶並有（100）優選方向，BZT膜厚為13~53nm，於鍍膜完畢後施加不同的熱處理條件，並分別濺鍍Pt, Pt/LNO, Ru/RuO2作為上電極以量測電性。 當以Pt為上電極時，不同的熱處理條件對電性影響不大，在膜厚變薄時，漏電流有明顯增大的現象。上電極是Ru/RuO2時，Ru在BZT薄膜甚至下電極中有嚴重的擴散，並會造成BZT中氧的缺失，漏電流在BZT膜厚度降低時迅速增加，趨勢較以Pt為上電極更為明顯，顯示當膜厚度降低時，以Ru/RuO2作為上電極並不適當。 以Pt/LNO為上電極材料，氧化處理可減少界面中氧空缺的生成，因此膜厚降低時，漏電性質有明顯的改善。其中厚度為13nm的試片其介電常數、崩潰電壓、漏電流性質皆符合G-bit級DRAM的要求。因此在所有的實驗條件中，以Pt/LNO作為上電極結構並於鍍完BZT薄膜之後施以氧化處理的組合，會在BZT膜厚降低時有最好的性質。