Abstract
本論文以 E×B DRIFT 運動探討磁控制管的基本原理，並改進VAUGHAN 的理論模式來預測磁控管的特性。在原理上，本文將VAUGHAN 的理論作了如下數點改進：１．磁控管中的SPOKE 的形狀，在VAUGHAN 的模式中是三角形，在本文中是梯形，並且梯形的形狀會隨電壓變化。２．在計算磁控管的電場時，VAUGHAN 將磁控管的形狀假設是無限長的直線，在本文中是考慮磁控管的實際形狀。３．對於磁控制管共振腔的特徵阻抗（CHARACTERISTIC IMPEDANCE）的大小，VAUGHAN 是以估計的方法來決定，本文是以解析的式子來計算。以此理論模式的結果和電子所的磁控管的實驗值作比較，顯示此理論模式可以準確預測磁控管的特性。預料此理論模式將可應用於磁控管的設計，以配合國內工業界的磁控管研製工作。