Abstract
在本文中,我們利用轉移矩陣來分析半導體異質結構之電洞磁穿遂的物理特性與現象,其中磁場的方向垂直於電洞穿遂的方向;在我們的理論中,將磁場的效果視為電洞橫向動量的變化,並以有限元素法將結構等分為若干段,在每一個段落中將磁場所貢獻的橫向動量視為常數,在每一段落中利用薛丁格方程式以及適當的邊界條件來描述整個系統.我們為了節省計算時間,以近似的模型來計算在不同磁場下的電流對電壓特性圖,我們可以發現在我們的計算中電流對電壓特性並沒有黎曼劈裂,而且由於重電洞與輕電洞的耦合所造成電流峰值隨磁場改變的情形,以上兩點皆與實驗的電流對電壓特性十分吻合.最後,我們記錄電流峰值位置隨磁場的變化,並與結構中量子井的層面色散關係做一比較,說明如何根據磁穿遂實驗之數據獲得層面色散關係.最後由我們計算的結果,清楚地解釋了實驗電流對電壓特性隨磁場變化的原由;於此,我們可以說,我們的理論已經成功地解釋了實驗所造量測到電洞磁穿遂的電流對電壓特性及一些物理現象,我們因而可確定我們的模型及計算為一十分不錯的近似,從共振態色散層面關係,我們驗證了意福斯等人的假設為一不錯的近似,及載子的橫向動量全部來自於磁場的貢獻,根據此假設而將實驗的電流峰值位置對磁場關係轉換為能量對動量色散關係可得不錯之結果,但亦顯示了此簡單模型所需要之修正量.