Abstract
本篇是以化學氣相輸送法，在真空密閉的石英管內成長Cu In S2磊晶層，而作出P-CuIn S2╱n-Gnp異質結合體。其較適當的成長條件為：T2=780℃，T1=640℃，碘量在1?1.5mg/c.c.之間，成長速率與所加碘量有關。在成長過程中磷化鎵晶片易為碘所侵蝕，我們從熱力學計算來說明此點的重要性。此外，由熱力學平衡的觀點，亦可預測整個系統的輸送速率，成長率以及磷原子在密閉系統中的濃度。藉著掃描式電子顯微鏡，發現在CuInS2磊晶層表面有兩種不同的成長結果；在Gap(111) A 面上有三角錐狀的突起，而在Gap(111)B 面上則有六角錐狀的突起。所長出的磊晶層，亦以α-ray(Back reflection method)，以及其他電性測試來確定它的一些性質。結果證實該磊晶層是單晶，P-type，電阻率約為104Ω-cm，其晶面為(112) 與Gap(111)符合。此外，在成長過程中亦摻入Ni、Cd等雜質，結果電阻率顯著降低，並有光生伏特效應。