Abstract
由於磷化銦很適合用做為微波及光電元件的基底材料，而為達此目的我們必須先得到一高純度、高品質的磷化銦單晶。因為磷在高溫時蒸氣壓很大，所以磷化銦不能像砷化鎵那樣能直接同時合成和成長單晶，而須先合成複晶再利用液塞柴氏法成長單晶。本實驗即自行設計及裝置一套複晶合成系統，用以合成磷化銦複晶。經多次修改迄今此系統已近完成階段。利用此系統所合成的磷化銦複晶，其合成率以超過百分之九十，利用霍爾效應測量其電性，於77°K 下載子濃度達2.7×1016cm ，移動率為3.4 ×103cm2v-1sec-1。進而我們研究磷壓力及成長速率，對其電性所產生的影響，發覺在磷蒸氣壓10大氣壓下，成長速率須小於2mm/hr才能成長出較佳品質之磷化銦。