Abstract
本論文以液相磊晶法於７８５Ｃ成長未加雜質的砷化鎵與磷化銦鎵晶膜於 晶面方向為（１００）的半絕緣砷化鎵基板上，並研究其表面型態，載子 濃度與光激光譜等材料特性，進而成長磷化銦鎵╱砷化鎵異質結構，以製 作砷化鎵與磷化銦鎵╱砷化鎵指間型金屬－半導體－金屬光偵測器（Ｉｎ ｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ ＭＳＭ－ＰＤｓ） ．未加雜質的砷化鎵與 磷化銦鎵載子濃度分別在１－２ｅ１６ｃｍ－３與４－５ｅ１６ｃｍ－３ 左右．室溫ＰＬ波長則分別為８７０ｎｍ與６５０ｎｍ；但在磷化銦鎵╱ 砷化鎵異質結構中，則因成長過程中磷的污染，使砷化鎵吸收層的室溫Ｐ Ｌ波長移至８５６ｎｍ．我們蒸鍍金並利用傳統的微影掀除技術形成指間 型蕭基電極，進而製作砷化鎵與磷化銦鎵╱砷化鎵指間型金屬－半導體－ 金屬光偵測器．並量測暗電流（ｄａｒｋ ｃｕｒｒｅｎｔ），電流－電 壓（Ｉ－Ｖ），電容－電壓（Ｃ－Ｖ），光譜響應（ｓｐｅｃｔｒａｌｒ ｅｓｐｏｎｓｅ），線性度（ｌｉｎｅａｒｉｔｙ）等特性．在偏壓為５ Ｖ時的最小暗電流分別為１０８ｐＡ和２０ｐＡ；相同的偏壓下的電容分 別為２．０１ｐＦ與３．２４ｐＦ．砷化鎵金屬－半導體－金屬光偵測器 在１Ｖ偏壓時，在響應度尖峰波長８５０ｎｍ的響應度為０．１７Ａ╱Ｗ ，外部量子效率為２４．８％；在０．８ｕｍ的響應度為０．１５Ａ╱Ｗ ，外部量子效率為２３．３％．磷化銦鎵╱砷化鎵金屬－半導體－金屬光 偵測器在響應度波長６５０ｎｍ時的響應度為０．１３Ａ╱Ｗ，外部量子 效率為２４．８％，此時偏壓為０．１Ｖ；在０．８ｕｍ的響應度為０． ０４Ａ╱Ｗ，外部量子效率為６．２％．另外，亦發現線性度會隨著偏壓 的變大而變差，且在某一範圍的入射光能量有最佳的線性度．