Abstract
隨著半導體工業的快速發展，半導體材料的缺陷分析變得日益重要，X 光位相攝影術，已被廣泛地應用到半導體材料的缺陷分析。這是一種非破壞性的分析方法，可得到正確而且涵蓋範圍廣泛之觀測，在這篇論文中，我們利用反射式的位相攝影來觀察磷化鎵液相磊晶層中的缺陷，並且用剖面的位相攝影來觀察磊晶層與基座間應力的分佈情形，以及缺陷的成長分佈，首先介紹位相攝影的基本成相原理，再介紹實驗儀器的建立與實驗的步驟，同時實驗中常遇到的問題，和解決的方法也將提出討論，缺陷之種類，以及布格（Burger）向量也被試著定出，最後將不同雜質對液相磊晶層所造成之影響也將做個討論。