Abstract
本論文第一部份是探討內層Ni薄膜對磷化鎵之N型及P型歐姆接觸的電性的影響。於Au/AuGe/Au/n-GaP結構及Au/AuBe/Au/p-GaP結構，將內層Au薄膜換為Ni薄膜，比較其與原始電極結構的接觸電阻之差異。實驗結果得知，p-GaP的Au/AuBe/Ni的歐姆電極的電阻低於60□的比率，在515℃退火後有最大值，但是仍比原始Au/AuBe/Au電極的比率低了15.9%，在電性表現稍差。推測這是由於在515℃退火下AuBe仍為固相， AuBe/p-GaP界面為固態反應，內層的Ni薄膜與p-GaP形成NiGax及NiPy的化合物反而阻礙Be元素固態擴散的摻雜效應，因此電性表現較內層為Au薄膜的電極稍差。 n-GaP之Au/AuGe/Ni歐姆電極低於60□的比率比內層Au薄膜的電極約多了64%，所呈現的電性會比Au薄膜者來得好。推測由於高溫退火時Ni薄膜可使AuGe液相均勻分佈，增加界面反應的面積且界面液體凝固後再生成n+-GaP高摻雜層。 論文第二部分探討不同含量的Sb加入AuBe合金中，製作p-GaP的Au/AuBeSb/Au歐姆電極，比較Sb含量對電極電性變化及外觀形貌的影響。在電性方面，不同的退火條件下，AuBe和AuBeSb所形成的歐姆電極的電阻變化的趨勢頗相似，且在515℃、15分鐘的退火條件下電阻值會有最低值23.5□，且添加Sb也有助於電性分佈更均勻。在外觀形貌方面，AuBe的歐姆電極只在大於535℃或長時間退火的情況下表面會略顯粗糙；AuBeSb歐姆電極在475℃退火後表面即發現有析出物，隨著退火溫度愈高析出物會增多，表面也更粗糙。因此可知Au/AuBeSb/Au並不適合p-GaP的發光二極體元件的應用。