Abstract
本篇論文中，我們製作出一種類似LDD 的結構而且在製程上我們採用了瞬時加熱退火（RTA ），我們稱之為RSLDD 。藉由RTA 我們不但保持了離子佈植後，雜質呈高斯分佈的特性，活化了通道的佈植雜質而且完成了BPSG的flow工作。RSLDD 呈現了相當不錯的電流電壓特性，尤其是基板電流已經減少了不少。另外，在基本上電性方面，臨界電壓（Threshold voltage ），傳導係數（Transconductance），崩潰電壓（Bre-akdown voltage），閘極切換（Subthreshold gate swing ），有效通道長度（Eff-ective Channel Length ）及基板電流（Substrate current ）都作了量測，並作了各種不同瞬時加熱退火結果的比較。我們將短通道的金氧半場效電晶體汲極電流模型加以修改後，解釋了一系列有關基板電流的特性，其中包括通道長度，汲極電壓對標準化基皮電流的影響情況（所謂標準化是指將基板電流除以汲極電流）。我們將輸出電阻對汲極電壓的特性圖中，發現R-SLDD在較高的汲極電壓時才進入熱電子區（相較於傳統的LDD ）。另一方面，我們也找到了一個對於減少熱電子效應方面最有效的瞬時退火條件。對於元件退化的情形也有測量，退化的情況確實已改善了不少。