Abstract
本研究利用液相磊晶成長法在P-型(100) 面磷化銦基板（substrate） 上成長晶格匹配之InGaAs及InGaAsP 磊晶層，並探討其光，電特性。以及利液相磊晶成長法研製異質接面二極體，並測量電流一電壓與電容一電壓特性曲線。用長時間烘烤純銦及成長溶液，可以降低磊晶層的載子濃度，提高載子遷移率。本研究所得之最佳結果為磊晶層在室溫時背景濃度為８．６×１０㎝。由X-ray 繞射圖形可知InGaAs及InGaAsP 與基片間之晶格差配均小於０．０５％。由磊晶層的穿透光譜，估計上述磊晶層在室溫下的能量間隙為０．７３eV與０．９３５eV。以液相磊晶成長的過冷降溫法，於６２５℃磊晶P －型InP 作為緩衝層於６２４℃磊晶n-InP ，於６１８磊晶InGaAsP 於６１８℃磊晶InGaAs。作為異質接面二極體。 -3利用液相磊晶成長及光學蝕刻技術，面積為１．５９×１０高台式異質接面二極體結 17構已經試製成功由電容一電壓特性得知，n －型的磊晶層濃度約為１．６４×１０。由電流一電壓特性得知，崩潰電壓為９．２伏特。