Abstract
在這個實驗裡，我們希望能夠找到一種新材料以取代現在使用於傳統光罩之鉻(Cr)膜，使得傳統光罩能夠使用於印製更小的電路圖案上。而我們主要是以濺鍍(sputte- ring)方法製備鉭矽氧化合物之薄膜。以期能夠達到穿透率介於5%-15%之間，而反射率低於30%的光學性質要求。至於靶材之製備與選用，我們可以分為兩部分：第一部分是選用TaSi2和SiO2粉末，經過球磨、鍛燒、壓靶、燒結等步驟，製成一單一之靶材，並以單槍濺鍍；第二部 則是利用純鉭和矽靶，並施以雙槍濺鍍。在實驗過程中，我們分別改變氧流量和功率大小，以了解在不同的情況下對穿透率和反射率的影響。在第一部分中施以單槍濺鍍的結果並不理想，其穿透率幾乎高達90 %，以近乎基板之穿透率。其主要原因可能是因為靶材在製作時已經有氧化情形發生，以致於無法得到我們所預測的成分，因此無法明顯的降低穿透率。接著在第二部分雙槍濺鍍系統中，由於兩個靶材事先均無氧化作用發生，因此只是單純的藉由氧流量以及功率大小來控制氧化程度。而在這一部分的實驗結果於UV(=365nm)波長下，我們可以控制其穿透率在0%-80%之間變化，而且其反射率亦在我們的要求之下。所以至此我們已經是完成本實驗之初步要求。最後我們分別改變不同情形之濺鍍，已確定我們在這個製程裡是否可以很簡單的便達到所要求的光學性質，其結果是我們可以單純的以氣體流量和功率大小來控制光學性質之要求，而不需要在靶材或其他方面作另外的改變。這亦是第二部分優於第一部分的地方。