Abstract
當光照射在一物體上時，會產生反射，穿透，散射，繞射，吸收等現像，若將入射光和散射光以Stoke’s向量（一個四維的向量）表示，則可將仉射光和散射光之間以M-ueller矩陣（Sij（θ），i，j ＝１，２，３，４，θ為散射角）相連繫，就操作型定義而言，此乃指入射光經由Mueller 矩陣的運作產生散射光，故Mueller 代表散射源，它蘊含著散射源的某些物理特性，藉著調變散射源的某一物理特性，量測散射光Stoke’s向量隨角度分佈的情況可推算出Mueller 矩陣與此物理特性間的關係。目前無論研究或應用的許多領域，都與薄膜有密切的關係，例如：表面科學，半導體製程，積體光學，光學鏡片及元作蒸鍍，光碟製程等。薄膜的厚度和折射係數是兩項基本且重要的參數，在任何基板上鍍薄膜時，薄膜的邊緣對整個面的幾何形狀而言是一驟然的變化，當雷射光束照射於其上時，雷射光束含蓋範圍所產生的散射，是由於整個面的驟然變化（或說階梯）造成，故散射光的強度分佈與此驟然變化必定有密切的關係。若視邊緣為散射源，量其Mueller 矩陣的十六個元素，當可得到十六個元素與薄膜厚度間的關係！本實驗是第一個以傳統的方式完成薄膜邊緣Mueller 矩陣的量測，量測結果所具有的對稱性及一致性，符合理論的推論，充分顥示本實驗系統蜼未使用四個偏振調變器及Lock－in Amplifier的技術，仍能達到相同的效果證明了本系統的可靠性。Ｓ□□，Ｓ□□兩歸一化元素隨厚度有靈敏的變化顯示量測Mueller 矩陣以求薄膜厚度的方法是可行的，且有相當的準確度。