Abstract
本論文針對半導體微影製程中的覆蓋圖案對準，執行分析及改善覆蓋誤差。由於微影製程中，製程為後量測系統，只能在製程過後才能量測出結果。因此如何估測未來製程的狀態，並使製程結果穩定，便是一門課題。 本論文首先分析微影製程中圖案覆蓋誤差的來源，並建立幾何轉換模型，將覆蓋誤差轉換成補償控制量。在過去的微影製程中，大多利用結合統計原理的批次控制(Run-to-Run)方法，但是由於圖案線寬的縮減，因此必須要有更精確的估測以及控制。本論文延伸其運用，並以自動圖型覆蓋控制(Smart Overlay Control)為基礎，結合卡曼濾波器，估測下一批次的狀態；加入積分模型預測控制，計算出最佳的補償控制量。而在覆蓋誤差中存有非線性參數所造成的誤差項，其包含了許多晶圓、機台以及環境的訊息，因此必須利用上述的方法將其影響減至最小，並利用品質管制圖監控，適時地提出該檢修的情況。