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積體電路構裝材料及多層膜軟焊開發研究
Thesis

積體電路構裝材料及多層膜軟焊開發研究

張君煜
Masters, National Tsing Hua University
1989

Abstract

積體電路構裝材料多層膜軟焊開發可焊性鍍錫鉛合金技術霍爾槽哈林槽拋覆力 (HULL-CELL)(HARING-BLUM-CELL)(THROWING-POWER)(BRIDGING)
為了保證積體電路元件經長期貯存後, 仍保有優良的可焊性, 鍍錫鉛合金技術, 已廣為電子工業界所採用。隨著電子元件的趨向高密度化, 電鍍錫鉛技術已漸漸取代傳統的熱浸鍍法。本研究的前半部分即在探討錫鉛鍍浴的工作條件與鍍浴組成的關係。經過霍爾槽 (Hull Cell)的測試, 鍍浴的工作電流密度範圍和鍍浴的組成, 尤其是和添加劑的關係, 已深入地探討。沒有加添加劑的鍍浴, 是無法穩定地操作的, 只要少許的添加劑, 就可以大大提昇操作的穩定度。經哈林曹(Haring-Blum Cell)的測試, 發現鍍浴的拋覆力(Throwing Power)和金屬離子濃度有極大的關係, 金屬離子的濃度愈低, 鍍浴的勢覆力愈強。少量的添加劑可提高拋覆力, 但添加過量的添加劑, 對鍍浴的拋覆力並沒有影響。銅錫的辦面化合物Cu Sn會降低元件的可焊性, 為了避免界面化合物的生成, 使元件在長期貯存後可焊性降低, 一種新的多層膜軟焊材料: 銅–無電鍍鎳–錫鉛合金多層膜, 被證實可大大提高元件的可焊性和耐蝕性。高溫老化實驗的結果顯示, 當傳統錫鉛鍍層的焊性幾乎完全喪失時, 多層膜仍擁有極佳的可焊性, 此證實了鎳層在阻絕銅和錫間的擴散上, 有卓越的功效。鹽霧試驗結果顯示, 傳統的錫鉛薄膜和多層膜的腐蝕型式, 有極大的差異, 而且多層膜的耐蝕性高度優於傳統的錫鉛鍍層。量測錫鉛合金層的厚度, 傳統錫鉛薄膜厚度約為多層膜中錫鉛合金層厚度的四倍。隨著電子元件的高密度化, 為了防止熱浸鍍錫鉛過程中, 有架橋(Bridging)的現象發生, 而降低了良品率, 低厚度的銅–無電鍍鎳–錫鉛合金多層膜, 具有高度的發展潛力。

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