Abstract
本文的主要內容是針對組成非對稱耦合量子井所產生的二次非線性光效應進行研究。這種組成非對稱耦合量子井是由兩種不同材料的量子井所組合而成的, 這兩種不同材料的量子井中間被一層很薄的障壁隔開, 此障壁的厚度必須薄到能夠認電子發生穿透效應, 這樣的結構才稱為耦合量子井。又因為二次非線性光效應在對稱的系統中并不會出現, 所以我們使用組成非對稱耦合量子井, 來達成非對稱系統的要求。另一種方法是利用電場來達成非對稱系統的要求。子帶能隙間的二次非線性光係數能夠從密度矩陣公式推導出來, 若我們想要得到高的非線性光係數, 則中人適當設計組成非對稱耦合量子井的結構參數, 例如: 中心位障的厚度, 井的寬度及Al的濃度等; 就可以得到很大的非線性光係數。一個有趣的現象是非對稱耦合量子井的二次非線性光效應能夠被外加電場所控制, 使之二次非線性光效應能夠產生或消失, 其消失的原因是: 在適當的電場下, 組成非對稱耦合量子井會變成對稱的系統, 使得二次非線性光效應消失。本文所研究的二次非線性光效應包含: 光二次諧波係數, 光參數放大及振蕩係數和光整流係數。同時也研究不同的結構參數對這些係數的影響。