Abstract
傳統的微放電加工有兩種方式：一種是單一電極法，使用的是WEDG（Wireless Electronic Discharge Grinding）的方式研磨電極頭，再加工工件；另一為利用LIGA（Lithographie GaVanoformung Abformung）製程所製造的陣列電極頭，再加工工件。不論單一或是陣列電極法，為達到微小化目的，都是藉由改變電極頭的尺寸來達到加工精細的效果，認為電極頭的精細度所代表的就是雕磨出來的微元件精細度，電極製作耗時費事成本均高。本研究結合『結合黃光微影製程之微放電加工法』採用結合傳統大電極頭與放電絕緣罩的創新方法，達到在進行微放電加工時省時省事的目的。此種加工之方式的關鍵製程，在於放電絕緣罩的製作。絕緣罩利用一般的半導體製程即可完成在導體工件上長出所要轉印圖案的絕緣罩。最後在傳統備有大電極頭的放電加工機上完成所需微加工的步驟。本研究從初步的實驗結果發現在35 μm ~ 40 μm厚的金屬薄膜工件上製造出來的絕緣罩，經放電電壓與放電電流、放電能量、絕緣層材料選擇等各種放電條件之調整後，放電加工後加工鎳薄膜最小已可達14 μm的線寬，證實利用本研究的新方法是可行的，值得未來進一步的研究。且經由本實驗的電壓電流參數的改變對放電結果的觀察，可以發現放電痕的直徑與放電能量成正比，因此根據實驗中加工的能量線寬曲線，在日後的加工參數中可以針對不同的線寬調整適當的放電能量，再調整高電壓低電流之參數及可得到良好之表面粗度與連續性。