Abstract
本論文要探討在非晶質碳膜 (a-C:H)上，以電漿射束代替傳統棉刷刮磨製程，作為液晶元件之配向層的製程技術。研究採用電容式電漿在ITO上沈積a-C:H膜，為瞭解電容式電漿沈積參數對a-C:H膜之影響，利用OES(optical emission spectrum)量測電漿之組成特性，並藉由調整沈積製程參數，如RF Power、沈積時間、氣體組成、工作氣壓等，控制a-C:H膜的性質，以Raman光譜、FESEM分析a-C:H膜之性質，以期找出適合作為液晶配向層之製程參數。目前最佳的低溫a-C:H膜製程為CH4/H2氣體比例50%，RF功率100W，沈積時間15min，工作氣壓10mtorr。a-C:H膜經電漿射束處理後，組裝2*3cm2的TN cell(twist nematic)，藉由調整電漿射束製程參數，如：Voltage、處理時間、氣體組成、工作氣壓、入射角度等，控制液晶配向的效果，以偏光顯微鏡及量測預傾角來判斷其配向效果。電漿射束製程有潛力成為新的非接觸式液晶配向技術，目前已成功地在a-C:H膜上完成均勻的液晶配向並有液晶預傾角（10?3.50），經電漿射束製程的a-C:H膜具液晶配向性以及預傾角之原因為表面具有方向性之C-O鍵結。