Abstract
因矽基板無法承受高溫燒結，造成元件製作上許多限制。為了解決矽基板的限制，使其符合元件製作上的需求，本實驗首先以網板印刷法(Screen Printing)，於氧化鋯基板上製作相對厚Pb0.98Sr0.02(Ni1/3Nb2/3)0.45Zr0.21Ti0.34O3薄膜(大約20 μm)，並探討厚膜微結構及鐵電特性，以求得最佳條件下之厚膜特性；進一步研究雷射剝離法(Laser lift-off)製程的可行性，將燒結後的相對厚PNN-PZT薄膜由單晶氧化鋁基板上成功的轉移至白金矽基板，並得到最佳的鐵電特性為: Pr = 28.9 μC/cm2、Ec = 18.9 kV/cm。由結果顯示，轉移後的相對厚PNN-PZT薄膜，結晶性及微結構未受到雷射剝離的影響，證明利用此製程，可解決高溫燒結時，Pb與基板、電極間因交互擴散所產生的問題，並應用於元件製作上。