Abstract
各種不同結構的二位元位置偵測器的設計及特性在這篇論文□被討論，利用被面的補捉製程的方法可以得到很高的線性度及提高少數載子的生命期十至二十倍，避免電壓崩潰，降低漏電流。缺陷捕捉製成的結果可以利用載子的生命期，及裝置的特性來驗證，利用背面磷的缺陷捕捉及平面電阻式的結構可以得到高度線性的二位元位置偵測器。
- Title
- 缺陷補捉製程對二位元位置偵測器之特性研究
- Translated title
- 缺陷補捉製程對二位元位置偵測器之特性研究
- Creators
- 謝紀強 (Author)
- Contributors
- 林敏雄 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English