Abstract
本論文探討置換活化法配合無電鍍銅技術，在Ta/SiO2/Si基材上鍍膜情形。結果發現Ta/SiO2/Si基材在經含BOE、硝酸和PdCl2之置換液置換活化後，可以在Ta表面置換上顆粒狀散佈的Pd沉積物；SEM與AFM分析得知，這些Pd沉積物的大小分佈範圍是在10 nm~200 nm之間。Pd顆粒的密度與大小與置換液中的BOE和硝酸濃度以及置換時間有正比的關係；但若置換時間太長，Ta表面會有被蝕穿的現象， BOE和硝酸濃度越大，則Ta表面被蝕穿所需的時間越少。經置換活化後的基材，只要Ta表面Pd顆粒的數量足夠（＞108/cm2）與無電鍍銅的鍍著時間足夠，就可以在其表面無電鍍沉積一層連續銅膜。當Pd顆粒越密或鍍著時間越長，在無電鍍銅後，銅顆粒與銅顆粒之間的接合就會越多，即有成膜的現象發生。無電鍍的銅膜電阻率是3.15 μΩ-cm，在經過400℃恆溫退火1小時後，其電阻率可以降低到2.03 μΩ-cm。而且經退火處理之後的銅膜，在X-光分析之下，其(111)方位的面有明顯增多的現象。無電鍍銅膜表面的起泡現象會使銅膜的附著性下降；若能銅膜本身沒有起泡，則無電鍍銅膜可通過3M 600號膠帶的剝離測試；400℃退火處理也會增加銅膜的附著性。