Abstract
本論文係主要研究耦合量子井中的二次非線性光學特性。耦合量子井是由二個簡單的量子井以及一個窄的障壁所組合而成。如果障壁足夠窄的話，即可使二個量子井的電子互相耦合。對於一個對稱性的系統而言，其二階的光學非線性性質即會消失。因為耦合量子井的非對稱性質，其二階的光學非線性性質即會被加強。耦合量子井的電子結構以及波函數，是以自恰法解出。即是同時解出薛丁格以及帕松方程式。由計算所得，我們獲得當雜質超過10^17cm ，自由電子的效應即會影響電子的性質。二階的非線性光學磁化詣採用密度矩陣的計算法以及松弛時間近似法，我們可預測到很大的非線性光學效應。增加耦合量子井中的一井的組成密度，即變成一個耦合度低量子井, 從理論計算結果，當加上一適當的外加電場，耦合高低量子井的二階的光學非線性性質即會消失。這個結果是由外加電場造成的結構對稱形成的。由這個有趣的現象，一個開關式的非線性元件就可以容易的獲得。順為實驗的困難性，我們僅以至今已發表的二篇實驗論文的數據來驗證此理論的正確性。而且發展出一套方法來找出具有最大二階光學非線性性質的耦合最子井結構。在砷化鎵中，耦合量子井的二階的非線性光學磁化率約為本身的70到80倍。且電場調節開關的效應，其開關之間的二階的非線性光學磁化的比率可達到1000。#50008883.abs#50008883.abs