Abstract
金屬奈米粒子在光波照射下，會產生感應電荷，此感應電荷的行為可用偶極矩(dipole)來表示，且當兩顆金奈米粒子夠近的話，使得近場增強型電場區域互相重疊時，將會出現電漿子耦合（plasmon coupling）現象，本論文主要探討金奈米對表面電漿子耦合振盪的現象。 在本篇論文中，我在ITO基板上吸附八面體金奈米粒子，並利用電子顯微鏡中之奈米操控手臂調控八面體金奈米粒子對距離來觀察電漿子耦合現象，我們調控六對八面體奈米金粒子之距離分別為125 nm，105 nm，85 nm，65 nm，45 nm，25 nm。我們將奈米對樣品放置在稜鏡上，白光經由稜鏡在樣品表面產生全反射，產生消散波激發金奈米對產生表面電漿子散射，可以達到激發表面電漿子的條件。 我們量測金奈米對耦合現象時發現，由於入射光TM場在表面產生全反射時會有能量不連續的情形，因此TM場為主要激發耦合表面電漿子。因此當入射光方向平行金奈米對長軸時，其表面電漿子散射峰值為會隨著奈米對間距減少，而產生紅移現象，TM場會感應奈米對表面電漿子電荷方向為垂直奈米對長軸的方向並為反相態(out of phase state)。當入射光方向垂直金奈米對長軸時，其表面電漿子散射峰值為會隨著奈米對間距減少，而產生藍移現象，TM場會感應奈米對表面電漿子電荷方向為垂直奈米對長軸的方向並為同相態(in phase state)。