Abstract
在多晶材料的許多特性上,晶界扮演了一個很重要的角色,因此要得到這些材料更好的工程性質,我們就必須對晶界的一些現象要有更進一步的基本瞭解.過去幾十年來一個有趣的現象是微量的溶質將會對晶界及材料的機械性質產生影響,本實驗將以 P.V.D 蒸鍍銅薄膜在基材氯化鈉上面,且以TEM來分析銅膜成長的結果,然後在把少量的鉍擴散進入銅晶體中,再以能量過濾電鏡來加以分析,證明鉍是以偏析的方式存在銅晶體中,而且在銅晶體中鉍含量未達飽和之前,鉍將會偏析於銅的晶界中.現在我們要進行的工作是利用能量過濾電鏡來得到鉍在銅晶體中的影像,並且將做一些變數對能量過濾電鏡影響的探討.