Abstract
本實驗使用SOI（silicon on insulator）晶圓，經由佈值、微影、蝕刻、氧化、沉積等製程步驟，製作出三電極分子元件。我們使用的分子是C8H18S，在不同的溫度及閘極電壓下量測Id-Vd曲線。實驗初期的進展並不順利，所作的元件皆無法正常工作，這是因為Id會隨著Ig改變，不過在改良閘極氧化層後有不錯的進展。在十幾個元件中有3個能作出Id不隨Ig改變的元件。從這些正常工作的元件我們可看到場效應結果。我們選擇其中一組數據加以分析並得到些訊息。 本篇論文第一章提到為何會有分子元件的構想及分子如何附著在電極上。第二章描敘決定分子的導電性優劣要素，及最近國外兩個研究團隊在分子場效應上提出的相關兩篇論文。由於整個元件是利用半導體製程製作，故第三章粗部介紹相關製程原理。第四章是將我們製作元件的過程，逐步說明呈現出來。第五章區別了好元件與壞元件的差別，以及分析C8H18S分子的傳導機制，這與國外大部份團體所作的結果有點不同，最後在顯示加上不同閘極電壓下的on/off ratio。第六章除對分析的結果作粗部的總結外，並認為在此一平台下的確對分子元件的研究有很大的助益。