Abstract
本論文採討經退火處理（mill annealing）的英高鎳600 合金（INCONEL 600 ）在室溫的氯離子及硫代硫酸根－氯離子溶液中的孔蝕行為，利用動電位（potentiodynamic ） 及定電位（potentiostatic）陽極極化方法決定孔蝕的特性電位，在0.1到0.0001 M四個不同濃度的氯離子溶液中，決定出孔蝕電位，Enp，Enp值隨氯離子濃度增加，而趨向活性（active）方向，當氯離子濃度低於0.002M，則不會有孔蝕發生，以硫代硫酸根加入氯離子溶液，會使英高鎳600 的陽極溶解速率增加，增加硫弋硫酸根濃度，造成氯離子孔蝕抗性增加，佰在低濃度（0.0001 M）時則有促進氯離子孔蝕的現象，將溶液除氧或提高溶液溫度的影響最大. 而降低溶液PH值至3 則有增加英高鎳600 氯離子孔蝕抗性的效應·對於能造成孔蝕的最低氯離子濃度也被決定•開路浸置方法（open circuit immersion test ）亦證實電化學極化法所得出的結果，蝕孔深度及分佈隨溶液中氯離子濃度及溫度增高而增加，0.1 M 硫代硫酸根雖然抑制孔蝕的起始（initiate），但卻使蝕孔侵蝕得最深•SEM 觀察蝕孔內的腐蝕產物，為堅硬，破裂狀及多孔狀的（hard，cracked and porous）•EDS 分析蝕孔內腐蝕產物，硫的成份異常大於材料基地所含的成份，對於硫代硫酸根影響低溫下英高鎳600 氯離子孔蝕的可能機構有所討論。