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英高鎳600 在氯離子輿硫代硫酸根離子高溫環境之孔蝕研究
Thesis

英高鎳600 在氯離子輿硫代硫酸根離子高溫環境之孔蝕研究

陳孟仁
Masters, National Tsing Hua University
1989

Abstract

英高鎳氯離子硫代硫酸根離子孔蝕研究 MILL-ANNEALINGPOTENTIODYNAMICACTIVE
本論文探討經過工廠退火處理(mill annealing)的英高鎳600 合金(INCONEL 600) 在高溫(150-288℃) 的氯離子及硫代硫酸根-氯離子溶中的孔蝕行為,利用動電位(potentiodynamic) 法,決定孔蝕的特性電位,在0.1 到0.0001 M四個不同濃度的氯離子溶液中,孔蝕電位Enp 隨氯離子濃度增加或隨溫度的升高而趨向活性(active)方向,硫代硫酸根加入氯離子溶液時仍隨溫度的升高而降低Enp 值 (趨向活性) ,在150℃時添加硫代硫酸根離子對高濃度氯離子(0.1M)引起的孔蝕有促進的效果,但在高溫時硫代硫酸根的添加反有抑制的影響,且隨著硫酸根濃度的降低抑制能力減弱。在只含硫代硫酸根的環境中則未發現孔蝕的發生。蝕孔密度及平均深度與溶液濃度及溫度有一密切關連,EDS 分析蝕孔內腐蝕產物的成份,硫的成份祑常大於材料基地所含的成份。對於硫代硫酸根在高溫溶液中對孔蝕的影響及氯離子孔蝕的可能機構有所討論。

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