Abstract
在本論文中，將藉由以蒙第卡羅方法為基礎的元件模擬程式來研究通道為0.1um的金氧半元件其電流暫態特性與載子在運動過程中對元件加熱的過程，模擬程式中考慮電子與電洞兩種載子，且當電子在表面的薄反轉層中運動時，本程式考慮其量子化的特性（二維電子）。此外當元件中高能的電子發生impact ionization後，本模擬程式會對新產生的電子電洞對做追蹤，以研究熱電子效應。
- Title
- 蒙地卡羅程式開發與其在深次微米金氧半電晶體暫態及熱效應研究之應用
- Translated title
- 蒙地卡羅程式開發與其在深次微米金氧半電晶體暫態及熱效應研究之應用
- Creators
- 陸紀亙
- Contributors
- 徐永珍 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 電機工程學系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 電機工程學系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis