Abstract
含氫非晶矽膜內的氫含量的多寡直接影響矽膜的電性,當溫度大於300℃時,氫會從矽膜逃逸,因此氫含量的檢測就非常重要.目前量測氫含量最方便迅速的是FTIR,但是矽膜必須蒸鍍在雙面拋光矽晶片上才能正確的求出積分吸收強度,再乘上適當的比例常數求得氫含量.雙面拋光晶片取 作都是以單面拋光矽晶片為主,若能用單面拋光取代雙面拋 量可大大提高量測效率.我們用PECVD室溫蒸鍍含氫非晶矽膜於單面及雙面拋光矽晶片上,觀察初鍍及350 ℃退火試片,研究結果顯示 晶片之矽膜吸收光譜非常吻合雙面拋光試片,兩者在積分吸收強度幾近1:1的比例關係,因此,經由單面拋光試片也可得到與雙面拋光試片一樣正確的積分吸收強度,經由SIMS可得到比例常數,初鍍矽膜氫含量為 0.94*10E22/cm3.