Abstract
本實驗利用高濃度離子植入硼影響KOH溶液對矽的蝕刻造成蝕刻阻擋（Etching stop）效應，並在阻擋層上長10μm，15μm，20μm磊晶以製作相當薄的橫隔膜，以量測不同厚度橫隔膜的靈敏度。 為不影響BORON的擴散，本實驗決定採用低溫製程PECVD，而不採用LPCVD成長的氮化矽，但結果發現，PECVD沈積厚度5000A的氮化矽由於緻密性不夠，在進行蝕刻3~4小時後即被KOH吃穿發生穿孔現象，無法有效的保護元件。所以吾人決定進行不同溫度下退火的實驗，分別以（400。C，500。C，600。C，700。C，800。C，900。C，1000。C），退火時間以（20min，30min，40min，50min）在進行對KOH蝕刻液進行蝕刻，並分析觀察。結果發現600。C~800。C退火後PECVD層具有對KOH很好的保護作用，但基於低溫製程的需要採用600。C，比起LPCVD氮化矽成長環境800。C更加符合我們的需要。 吾人並將摻雜量為1×1014 cm-2薄膜厚度分別為19~21μm，13~16μm，8~11μm三層不同厚度試片製作矽壓阻壓力感測器，由壓力與輸出電壓變化關係圖斜率算出的壓力感測靈敏度S（pressure sensitivity）分別為5.51μV/V-mmHg，10.9μV/V-mmHg和14.8μV/V-mmHg。相較於去年成果橫隔膜的厚度約是去年的1/4，靈敏度提高10倍，由此可見橫隔膜厚度對壓力感測元件的重要性，最後採用流體力學中的截流技術，分別以兩個流量感測元件於兩點量測壓力差而得到流量-電壓訊號。