Abstract
Ｘ光反射率量測法對於薄膜各披覆層的厚度，表面及界面間粗糙度，及各披覆層的密度變化可精確地計算出，利用現場量測將可大為簡化量測時參數之影響。本文旨在利用現場Ｘ光反射率量測法觀看鋁膜蒸鍍於室溫及加熱後矽晶片之生長模式，初步結果顯示，現場Ｘ光反射率量測系統其可行性合乎要求，而且鋁膜生長模式亦可以利用三維島狀生長模式描述，實驗結果亦顯示鋁若蒸鍍在溫度為565℃之矽晶片上，其表面粗糙度將大為增加。
- Title
- 薄膜的Ｘ光全反射率測量之研究
- Translated title
- 薄膜的Ｘ光全反射率測量之研究
- Creators
- 曾松裕 (Author)
- Contributors
- 於有文；李志浩 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English