Abstract
半導體元件發展的趨勢，為縮小元件尺寸，而選擇性磊晶成長具有縮小氧化物橫寬並減少製程複雜性等好處，故在元件應用上有極大的潛力。而低溫下的研究是為了防止參雜劑的固態擴散，而保有極窄的P -N接面，因此低溫選擇性磊晶成長之研究，在次微米元件之縮小尺寸需求上將是十分重要的。本實驗是藉低溫(低於攝氏400度C)電漿輔助化學氣相沉積法氣體進行矽沉積在矽和二氧化矽之間的結構研究。由實驗過程中可發現H2對SiH4的流量比，基座溫度，不□鋼網，和電漿功率皆為沉積的重要參數。成長室的基底壓力保持在 3x10 -6托耳左右。基材是以改良的旋蝕法及氫氟酸滴定法作為置入成長室前的清洗步驟。而氫氣烘烤步驟則是沉積前的清潔步驟。基材溫度改變在攝氏288至395度C之間。電漿功率則保持在0瓦至50瓦之間。部份實驗是在覆蓋不□鋼網的情況下沉積。在本實驗中，可由控制及改變實驗參數而得到以下四種結果：(1) 不管有無不□鋼網都可成長磊晶矽在矽窗口內及非晶矽成長在二氧化矽上， (2) 在無不□鋼網時，可得磊晶矽成長在矽窗口內及多晶矽成長在二氧化矽上，(3) 在無不□鋼網時，多晶矽可同時成長在矽和二氧化矽上，(4)經由成長後的超音波振盪而得到一個選擇性沉積結果。本文共分為五章：第一章 前言； 第二章 實驗步驟； 第三章結果與討論； 第四章 結論； 第五章 未來的工作方向。