Abstract
砷化鎵(GaAs)和砷化鋁鎵(AlGaAs)已經被廣泛地研究了許多年。磊晶層的優良品質，化學組成，雜質濃度及磊晶厚度的精密控制都能很容易的完成。在接下來的實驗中，我們做了更進一步的努力去達成更精確的控制，更優良的磊晶品質及接合面的清晰程度(interface sharpness) 。(1) 在原料爐(effusion cell) 的溫度控制上，傳統的PID 溫度控制法既費時又容易在大幅度溫度變化時不穩定地使溫度跳動，因此我們嘗試引入調適控制(adaptive control)理論，機動地改變PID 控制器的參數，使溫度變化能迅速地穩定下來。(2) 藉由阻斷成長和退火處理從事固定相位的高能量電子束折射振湯實驗可以改善接合面的粗糙程度(interfac eroughness) 並獲得二維磊晶成長的高品質晶層。此外由於每一層原子皆被充分的控制，因此可以從事單原子層的超晶格(monolayer superlattice)成長。(3) 為使低溫中成長的增進原子遷移磊晶層具有種種電氣特性高溫快速退火是不可或缺的過程。而為了避免快速退火對磊晶層產生的種種缺陷，低溫磊晶時，砷(As)在每一單原子層成長中的磊積量是非常重要的參數本實驗便是藉由高能量電子束折射(RHEED) 的變化來控制砷在每一原子層的數量。