Abstract
本論文利用不同的光學方法，來量測以MOCVD系統所成長的InGaN樣品光激載子的動態特性。 在PL實驗中，我們分析了半導體材料中所含的雜質，以及半導體材料的能隙。並藉由變溫和變入射功率的實驗觀察載子的行為，及能隙的變化。另外，變溫和變入射功率的實驗也能夠提供更豐富、完整的PL光譜資訊，來研究造成PL光譜的物理機制。實驗結果我們發現InGaN以及GaN的能隙能量，並且發現了材料中含有由Mg、Cd、Zn的複合物所造成的受體能階。 我們亦成功的利用自行架設的藍光激發-探測系統，量測到了藍光材料的反射率變化ΔR/R的時間弛豫現象，證實此套系統的可行性。實驗結果我們發現，光激載子密度隨時間的衰減呈現出快慢兩種不同的時間常數。我們認為較快的為載子弛豫時間，約為2-3ps。此載子弛豫時間包含了載子冷卻時間和載子捕捉時間。而較慢的為載子復合時間，約為幾十個ps。我們量測了不同成長條件的InGaN樣品，其結果可以提供我們研究光激載子的動態行為。