Abstract
非晶矽材料的擴散長度是決定非晶矽太陽電池效率的重要參數之一。如果以擴散長度較長的非晶矽材料做成太陽電池，則這類太陽電池將具有較佳的效率。表面光電壓的基本原理是在樣品表面以某一方式形成空乏區，這表面空乏區可由半透明的金屬蕭基接面形成或由電解液和樣品表面接觸形成。當樣品表面照射不同波長的單色光時，表面空乏區訧會形成表面光電壓。當表面光電壓被固定在某一個值，記錄各波長的光強度，由光強度對吸收係數的倒數作圖，我們可得到擴散長度。表面光電壓應用在單晶材料諸如矽和砷化鎵，是相當成功的。但將這方法應用在非晶矽時，必需考慮這種材料是否會違反表面光電壓的基本假設，因為非晶矽材料的阻值太高。在這篇論文中，吸收係數的計算也被提出。這針算主要利用樣品的穿透率，反射率和厚度來完成。這計算主要是解二元多次聯立方程組之根，這根有多組，對於避免得到錯誤的根，我們提出自己的方法。