Abstract
表面粗糙度對於許多物性有很大的影響, 例如基板表面粗糙度會直接影響所鍍上的磁光薄膜之Hc, Ms以及磁異向性等特性, 所以定量測量表面粗糙度是一件十分重要的工作.本論文的主要目的是欲製造一組平均表面粗糙度為幾個A 至幾十個 A 的表面, 並且以不同測量儀器測量並比較之.在表面粗糙度的製造上, 首先我們使用的方式是以離子鎗濺渡系統(Ion-beamsputtering system)中的離子源(Ion Source)所製造出之離子束(IonBeam)打擊在Si Wafer的表面上, 試圖以不同的 Beam Voltage, BeamCurrent以及不同的打擊時間來製造出不同的表面粗糙度, 而其結果在經Alpha-Step量測後, 所有sample間以及與未經離子束打擊的wafer比較並無明顯不同.接著我們採用的方式是以 0.05, 0.3, 1 Micrometer的氧化鋁粉末來拋光Si wafer的表面, 欲以不同的粉末大小以及加重的與否來製造出我們要求的表面粗糙度. 而其結果與未經拋光前的wafer在經Alpha-step初步量測後確實有明顯的差異.於是我們便以Alpha-step, AFM,Heterodyne Profiler System等三種不同的表面粗糙度測量儀器進行測量. 此三種測量儀器的測量原理以及針對表面粗糙度的測量方式各有不同, 本論文將對此作一詳細介紹, 另外並測量並比較各種儀器所測量出之不同氧化鋁粉末以及加重與否所製造出之表面粗糙度.本論文第一章為緒論, 第二章為實驗設備及測量原理, 第三章為實驗及測量結果, 第四章為討論與比較, 第五章為結論.