Abstract
摘要在本實驗過程中，利用酸洗鹼洗硫化的方式以去除p-type GaN表面的絕緣層，並利用黃光微影製程：旋塗、曝光、顯影等技術得到我們所需要的CTLM電極圖樣，再用E-gun蒸鍍上所需要的金屬結構，之後再以不同的溫度和氣氛下退火，找出最佳的實驗參數。比較四種不同溶液對表面的影響，電性量測與ESCA的表面分析中可以發現：利用KOH處理的試片有較佳的電性表現，而酸洗對於表面的絕緣層能有效的去除，可是經由王水處理的試片會對表面有所破壞而HCl則無此現象。其後使用兩階段的表面處理方法得到比單一階段有更好的歐姆特性，以Ni/Au (20/50nm) 於550°C 在 O2/N2氣氛下退火10 分鐘為最佳，其比接觸電阻值大小為：rc = 6.8× 10-4 Wcm2 (HCl 30min, KOH 30min)。