Abstract
本研究主要的課題在於研究磷化鎵(GaP) 及磷化銦(InP) 晶片表面經過各種溶液處理之后對其蕭基二極體的電性的影響。磷化鎵二極體的金屬接面主要為Pt、Au、Co、Al，而磷化銦的金屬接面則為Pt，電性的量測主要為電流－電壓，電容－電壓特性曲盄。我們也對各個試片作常溫下，長時間的時效行為進行觀察。我們發現磷化鎵在鍍金屬薄膜之前的浸蝕溶液處理以H SO : H O : H O (5:1:1) 為最好。而再經過(NH ) S 處理后的磷化鎵試片其界面能態密度降低，使得蕭基能障值更接近理想的蕭基模型，而其復雜的時效行為說明了磷化鎵的蕭基能障值與界面化學有很大的關系。對於磷化銦而言，經過P S /(NH ) S處理的晶片，其Pt的二極體蕭基能障值較只經過氨水處理提高，而漏電流則相對降低了，而經由AES 及XRD 的觀察,我們發現經過P S /(NH ) S 處理后, 磷化銦的表面有一層In S 存在，此層In S限制了磷化銦與金屬間的反應，同時因為它是一種比磷化甸能帶寬還高的半導體，所以其存在使得磷化銦的蕭基能障值提高。