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製程對銅膜應力行為之影響
Thesis

製程對銅膜應力行為之影響

林永祥
Masters, National Tsing Hua University
2000

Abstract

銅膜應力濺鍍法化學氣相沈積法薄膜擴散阻礙層 copperstresssputteringcvdthin filmdiffusion barrier
本論文主要在探討銅膜應力行為,先探討不同銅膜製程下,銅膜應力行為的變化,再探討加入擴散阻礙層時銅膜的應力行為,其中擴散阻礙層以濺鍍法製備,實驗中所使用的應力量測儀器為真空彎柄儀(Bending Beam Apparatus)系統。為了避免銅膜氧化問題的發生,選用真空下的量測。首先研究擴散阻礙層氮化鉭(Ta2N)在矽基材上Ta2N / Si的應力行為,再分別探討濺鍍法以及化學氣相沈積法在矽基材上兩層結構Cu / Si的應力行為,最後以濺鍍法及化學氣相沈積法製備銅膜在擴散阻礙層上三層結構Cu / Ta2N / Si的應力行為。實驗結果顯示不同製程下的銅膜應力行為有明顯不同,另外有擴散阻礙層時,兩種銅膜製程表現出不同的熱機械性質以及呈現不同的熱應力變化值。

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