Abstract
本論文是利用體微加工技術，在n-type 矽晶圓上製作出隔膜(Diaphragm)，並於隔膜上利用離子佈植法植入硼以製作壓電阻，壓電阻則佈局成惠司通電橋的形式。當隔膜受到應力後，壓電阻的阻值產生變化，再加上惠司通電橋將其訊號放大，藉由量測其輸出電壓的變化，間接可得知所受的壓力大小。於隔膜設計方面，為了使元件有良好的靈敏度，故必須同時兼顧隔膜的特性與壓阻體的性質，為了達到此要求，所以本實驗分別利用了氮化矽與複晶矽來製作隔膜，以得知不同材料的隔膜，對感測器靈敏度的影響，並採用單晶矽來做壓阻體，使其經由退火方式，讓受離子佈植破壞後的晶格回復，讓壓阻性質變好，以提升靈敏度。並利用深度尺的設計與等速蝕刻的特性，來控制隔膜的厚度。在阻擋層的研究方面，使集結式電漿輔助化學氣相沈積系統(PECVD)所長出來的氮化矽薄膜，經由不同溫度的退火，並做蝕刻阻擋測試，利用化學分析電子儀(ESCA)與多功能掃描探針顯微鏡(AFM)，來分析及觀察造成其阻擋蝕刻性質改變的原因。吾人以佈植的濃度為5□1013 cm-2來製作壓阻體，分別各置於5□m､10□m､15□m的隔膜上，比較其靈敏度的變化。