Abstract
傳統的互補式金氧半元件, p-通道金氧半元件一般以n-型複晶矽作為閘極材料, 這使元件成為埋藏式通道元件, 當元件尺寸縮小, 此種元件將有更嚴重的短通道效應, 因此以p-型閘極材料的表面通道元件在未來的應用是必要的.然而p-型閘極□的硼元素會穿透薄氧化層, 造成元件臨界電壓偏移, 使元件操作不穩定, 因此本論文以磷或砷同植入方法防止硼穿透薄氧化層, 在電容對閘極電壓在高頻特性曲線偏移中發現隨著磷濃度增加硼穿透效應明顯的降低且一完全阻擋硼穿透的磷濃度值在本論文亦被提出, 此外儘管磷濃度增加閘極空乏程度並不顯著.此外, 本論文亦對不同磷或砷植佈濃度對p-型閘極p-通道金氧半電金體特性研究, 發現隨著磷或砷濃度增加, 電晶體的特性如: 臨界電壓, 傳導(transconductance), 和臨界斜率亦明顯的改善.最後以本論文中實驗結果為依據所設計的雙閘極互補式金氧半元件無硼穿透的製程亦被提出.