Abstract
近年來，氫化非晶矽薄膜已被成功廣泛地應用於大面積的微電子元件，例如太陽能電池，影像感測器，以及薄膜電晶體液晶顯示器 (TFT-LCDs)。但是，由於其缺乏長序(long-range-order)結構 晶矽膜在穩定性暨電子場效移動性上存有難以克服的問題，所以限制了元件的性能。這個缺點可由改善其結構來減小其影響，意即製作微晶(microcrystalline Si:H)與複晶矽(polycrystalline Si:H)傳統上，複晶矽是由沉積在二氧化矽基板上的非晶矽，經過高溫製程與長時間的回火得到的。然而，高溫製程非但不適用於低熔點基板（例如：玻璃），且對於超大型積體電路(VLSI)製程上之攙入雜質(dopant)分佈的固態擴散有不利的影響。故而，發展複晶矽的低溫製程變得十分重要。在此研究中，利用電子迴旋共振電漿輔助化學氣相沉積(ECR-C VD)系統，在經微影蝕刻圖案的氧化晶圓(oxidepatterned wafer)基板上，於攝氏250度以下的溫度環境中製作複晶矽膜，其目的是要降低製程溫度(低於攝氏250度)且成長出較大的複晶矽晶粒。同時，以穿透式電子顯微鏡(XTEM)，高解像電子顯微鏡(HRTEM)，拉曼光譜(Raman scattering)及原子力顯微鏡(AFM)來探討晶粒尺寸、成長速率和製程參數（氫稀釋比例，製程溫度，微波功率，製程壓力）彼此之間的關係